2026年1月17日，中核集团中国原子能科学研究院宣布，我国首台自主研发的串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功实现稳定出束，核心指标达到国际先进水平。这一突破标志着我国全面攻克了功率半导体制造链中的关键环节，成为全球少数掌握该技术全链路研发能力的国家之一，为高端芯片制造装备自主可控和产业链安全奠定坚实基础。
打破技术垄断：从“卡脖子”到“领跑者”
离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造中不可或缺的“刚需”设备。其中，高能氢离子注入机因技术壁垒高、研发难度大，长期被国外企业垄断，成为制约我国芯片产业升级的“卡脖子”环节。
中国原子能科学研究院依托核物理加速器领域数十年的技术积累，以串列加速器技术为核心，历时多年攻克了高能离子束流控制、精准注入、设备集成等关键难题，最终实现从底层原理到整机设计的完全自主化。该设备的成功研发，不仅打破了国外技术封锁，更使我国在功率半导体领域（如新能源汽车、工业控制芯片）的自主保障能力显著提升，为“双碳”目标下的绿色能源转型提供关键技术支撑。
全产业链协同：从“单点突破”到“系统攻坚”
此次突破并非孤立事件，而是中国芯片产业全链条协同创新的缩影。近年来，我国在芯片制造领域取得一系列进展：
• 先进制程突围：中芯国际通过DUV光刻机结合多重曝光技术，实现等效7纳米制程量产，良率达70%-80%，解决华为麒麟芯片、昇腾AI芯片的“有无”问题；
• 成熟制程巩固：28纳米及以上工艺良率稳定在95%以上，国产设备适配率超80%，满足国内九成工业控制、汽车电子需求；
• 存储芯片领跑：长江存储232层3D NAND闪存量产，迫使三星降价30%应对竞争，Xtacking 3.0技术实现国际领先；
• 设备材料国产化：北方华创、中微公司刻蚀设备进入5纳米产线，上海微电子28纳米浸没式光刻机进入产线验证阶段。
创新生态构建：从“技术追赶”到“生态引领”
技术突破的背后，是政策、资本与市场的三重驱动：
• 政策支持：国家“强芯”战略持续加码，通过“揭榜挂帅”机制引导资源向关键领域集聚，推动重大项目落地；
• 资本助力：2025年，摩尔线程、沐曦股份等GPU企业科创板上市，中芯国际市值突破万亿元，资本投入为技术研发提供“弹药”；
• 区域集群效应：长三角、珠三角形成全链条创新集群，上海张江、深圳南山等地汇聚设计、制造、封装测试资源，培育出寒武纪、兆易创新等行业龙头。
全球竞争新格局：从“受制于人”到“开放合作”
面对外部技术封锁，中国芯片产业以自主创新为根基，同时以开放姿态融入全球产业链：
• 技术输出：华为昇腾超节点技术与国际同行合作，推动全球算力标准制定；
• 市场拓展：中芯国际在德国建厂，长江存储与西部数据成立合资公司，国产芯片加速“出海”；
• 生态共建：DeepSeek大模型开放架构，吸引全球开发者共建生态，展现中国科技的影响力。
未来展望：从“突破卡脖子”到“引领新发展”
专家指出，中国芯片产业已进入“自主可控”与“全球协同”并重的新阶段。随着数字光源芯片先进封测基地等重大项目落地，以及5纳米以下先进工艺、3D DRAM堆叠技术的突破，中国有望在2026年底满足国内大部分芯片需求，并在功率半导体、AI芯片等领域形成全球竞争优势。
正如《经济学人》所言：“美国的封锁企图正在失败。”中国芯片产业的崛起，不仅是科技自立自强的缩影，更是全球科技竞争中一股不可忽视的力量。未来，中国将继续以创新为矛，以开放为盾，在芯片领域书写属于东方的新篇章。
